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暗电流

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暗电流反向电流漏的区别

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  暗电流,反向电流,漏电流的区别 首先,什么是暗电流?看定义:在没有光照的条件下,给 PN 结加反偏电压(N 区接正,P 区接负),此时会有反向的电流产生,这就是所谓的暗电流,对单纯的二极管来说,暗电流 其实就是反向饱和电流,但是对太阳能电池而言,暗电流不仅仅包括反向饱和电流,还包括 薄层漏电流 漏电流和体漏电流 漏电流 漏电流 所谓反向饱和电流, 是指给 PN 结加一反偏电压时, 外加的电压使得 PN 结的耗尽层变宽, 结电场(即内建电场)变大,电子的电势能增加,P 区和 N 区的多数载流子(P 区多子维空 穴,N 区多子为电子)就很难越过势垒,因此扩散电流趋近于零,但是由于结电场的增加, 使得 N 区和 P 区中的少数载流子更容易产生漂移运动,因此在这种情况下,PN 结内的电流 由起支配作用的漂移电流决定。 漂移电流的方向与扩散电流的方向相反, 表现在外电路上有 一个留入 N 区的反向电流, 它是由少数载流子的漂移运动形成的。 由于少数载流子是由本征 激发而产生的,在温度一定的情况下,热激发产生的少子数量是一定的,电流趋于恒定。 漏电流:我们都知道,太阳能电池片可以分 3 层,即薄层(即 N 区),耗尽层(即 PN 漏电流 结),体区(即 P 区),对电池片而言,始终是有一些有害的杂质和缺陷的,有些是硅片本 身就有的, 也有的是我们的工艺中形成的, 这些有害的杂质和缺陷可以起到复合中心的作用, 可以虏获空穴和电子,使它们复合,复合的过程始终伴随着载流子的定向移动,必然会有微 小的电流产生, 这些电流对测试所得的暗电流的值是有贡献的, 由薄层贡献的部分称之为薄 漏电流,由体区贡献的部分称之为体漏电流 漏电流。 层漏电流 漏电流 漏电流 测试漏电流 漏电流的目的: (1) 防止击穿 如果电池片做成组件时, 电池片的正负极被接反, 漏电流 或者组件被加上反偏电压时, 由于电池片的暗电流过大, 电流叠加后会迅速的将电池片击穿, 不过这样的情况很少发生,所以测试暗电流在这方面作用不是很大。 (2)监控工艺 当电 池片工艺流程结束后,可以通过测试暗电流来观察可能出现的工艺的问题,前面说过,暗电 流是由反向饱和电流和薄层漏电流 漏电流以及体漏电流 漏电流组成的,分别用 J1,J2,J3 表示,当我们给 漏电流 漏电流 片子加反偏电压时, 暗电流随电压的升高而升高, 3 个区, 区暗电流由 J2 起支配作用, 分 1 2 区由 J3 起支配作用, 区由 J1 起支配作用, 个区的分界点由具体的测试电压而决定的。 3 3 为什么暗电流会随电压升高而增大呢?大家知道当有电压加在片子上时, 对硅片有了电注入, 电注入激发出非平衡载流子,电压越大激发的非平衡载流子越多,形成的暗电流越大,暗电 流的增长速度随电压电压越大而变慢, 直到片子被击穿。 一般我们测试暗电流的标准电压为 12V,测得的曲线和标准的曲线相比后,可以的出片子的基本情况。如在 1 区我们发现暗电 流过大则对应的薄层区出了问题, 区暗电流过大, 2 说明问题出在体区, 同样 3 区出现问题, 说明我们的结做的有问题,扩散,丝网印刷,温度等参数都会影响暗电流,只要我们知道哪 出了问题,就可以根据这去找出问题的原因,所以测试暗电流对工艺的研究是很有用的。


点击次数:  更新时间:2020-10-15 11:59   【打印此页】  【关闭
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